仕様●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： RD3P130SP●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 230 mΩ●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 20 W●トランジスタ構成： シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 2.3mm●RD3P130SPは、スイッチング用途に適した、低オン抵抗のパワーMOSFETです。低オン抵抗 高速スイッチング速度 駆動回路を簡素化可能 並列使用が容易 鉛フリーめっきRoHS指令(10物質対応)対応
