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2026/06/21 14:20:07

STN3P6F6 STMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFET STMicro 47187149

STMicro
STMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFET

7日出荷とは

5月24日より値下げいたしました。

注文コード	47187149
品番	STN3P6F6
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥919

仕様:	チャンネルタイプ：P 最大連続ドレイン電流：3 A 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：160 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：4V 最低ゲートしきい値電圧：2V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V パッケージタイプ：SOT-223 実装タイプ：表面実装ピン数：3+Tab チャンネルモード：エンハンスメント型カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：2.6 W トランジスタ素材：Si PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：P
最大連続ドレイン電流：3 A
最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗：160 mΩ
最大ゲートしきい値電圧：4V
最低ゲートしきい値電圧：2V
最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V
パッケージタイプ：SOT-223
実装タイプ：表面実装
ピン数：3+Tab
チャンネルモード：エンハンスメント型
カテゴリー：パワーMOSFET
最大パワー消費：2.6 W
トランジスタ素材：Si
PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応):

対応