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STN3P6F6 STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET STMicro 47187149

STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(10個)仕様チャンネルタイプ:P 最大連続ドレイン電流:3 A 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:160 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:4V 最低ゲートしきい値電圧:2V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V パッケージタイプ:SOT-223 実装タイプ:表面実装 ピン数:3+Tab チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:2.6 W トランジスタ素材:Si PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。注文コード47187149品番STN3P6F6
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥1,011
販売価格(税別)値下げ
919
仕様
チャンネルタイプ:P
最大連続ドレイン電流:3 A
最大ドレイン-ソース間電圧:60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:160 mΩ
最大ゲートしきい値電圧:4V
最低ゲートしきい値電圧:2V
最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
パッケージタイプ:SOT-223
実装タイプ:表面実装
ピン数:3+Tab
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:2.6 W
トランジスタ素材:Si
PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
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https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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