現場を支えるネットストア モノタロウ

https://www.monotaro.com/p/4881/4396/2026/05/22 05:30:59
SIHB30N60E-GE3 Vishay Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48814396
VISHAY
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET
5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は999円となります。
注文コード48814396
品番SIHB30N60E-GE3
内容量1個
参考基準価格(税別)オープン
単価(税別)
¥899
仕様:NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減
ピン数(ピン):3
RoHS指令(10物質対応):対応
パッケージ:D2PAK (TO-263)
実装タイプ:表面実装
1チップ当たりのエレメント数:1
チャンネルタイプ:N
最大パワー消費(W):250
チャンネルモード:エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A):29
最大ドレイン-ソース間電圧(V):600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ):125
最小ゲートしきい値電圧(V):2
最大ゲート-ソース間電圧(V):-20、+20
カテゴリー:パワーMOSFET
Copyright 2000-2026 MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO(ものたろう)