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| https://www.monotaro.com/p/4881/4396/ | 2026/05/22 05:30:59 |
![]() | VISHAY Vishay Nチャンネル パワーMOSFET |
5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は999円となります。 |
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| 仕様: | NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減 |
|---|---|
| ピン数(ピン): | 3 |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| パッケージ: | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| 1チップ当たりのエレメント数: | 1 |
| チャンネルタイプ: | N |
| 最大パワー消費(W): | 250 |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| 最大連続ドレイン電流(A): | 29 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 600 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ): | 125 |
| 最小ゲートしきい値電圧(V): | 2 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | -20、+20 |
| カテゴリー: | パワーMOSFET |
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