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SIHB30N60E-GE3 Vishay Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48814396

Vishay Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1個
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
実装タイプ表面実装
最大連続ドレイン電流(A)29
内容量1個注文コード48814396品番SIHB30N60E-GE3
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥1,318
販売価格(税別)
1,198
仕様
NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減
ピン数(ピン)
3
RoHS指令(10物質対応)
対応
パッケージ
D2PAK (TO-263)
実装タイプ
表面実装
1チップ当たりのエレメント数
1
チャンネルタイプ
N
最大パワー消費(W)
250
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)
29
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
125
最小ゲートしきい値電圧(V)
2
最大ゲート-ソース間電圧(V)
-20、+20
カテゴリー
パワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。この商品について質問する
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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