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2026/05/21 04:59:11

BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Nチャンネル小信号 MOSFET INFINEON 49258887

INFINEON
Infineon Nチャンネル小信号 MOSFET

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は4,998円となります。

注文コード	49258887
品番	BSS806NEH6327XTSA1
内容量	1リール(250個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥4,298

仕様：	チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：2.3 A、最大ドレイン-ソース間電圧：20 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：82 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：0.75V、最低ゲートしきい値電圧：0.3V、最大ゲート-ソース間電圧：-8 V， +8 V、パッケージタイプ：SOT-23、実装タイプ：表面実装、ピン数：3、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：小信号、最大パワー消費：500 mW、標準ターンオン遅延時間：7.5 ns、Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：2.3 A、最大ドレイン-ソース間電圧：20 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：82 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：0.75V、最低ゲートしきい値電圧：0.3V、最大ゲート-ソース間電圧：-8 V， +8 V、パッケージタイプ：SOT-23、実装タイプ：表面実装、ピン数：3、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：小信号、最大パワー消費：500 mW、標準ターンオン遅延時間：7.5 ns、Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。

RoHS指令(10物質対応)：

対応