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BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON 49258887

Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET

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内容量1リール(250個)仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:2.3 A、最大ドレイン-ソース間電圧:20 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:82 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:0.75V、最低ゲートしきい値電圧:0.3V、最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V、パッケージタイプ:SOT-23、実装タイプ:表面実装、ピン数:3、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:小信号、最大パワー消費:500 mW、標準ターンオン遅延時間:7.5 ns、Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。注文コード49258887品番BSS806NEH6327XTSA1
5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は4,998円となります。
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥4,728
販売価格(税別)
4,298
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:2.3 A、最大ドレイン-ソース間電圧:20 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:82 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:0.75V、最低ゲートしきい値電圧:0.3V、最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V、パッケージタイプ:SOT-23、実装タイプ:表面実装、ピン数:3、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:小信号、最大パワー消費:500 mW、標準ターンオン遅延時間:7.5 ns、Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。RoHS指令(10物質対応)対応
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
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https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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