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2026/10/03 18:36:45

BSP322PH6327XTSA1 Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET INFINEON 49261416

INFINEON
Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET

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注文コード	49261416
品番	BSP322PH6327XTSA1
内容量	1リール(1000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥60,790

仕様:	チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：1 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：800 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：1V 、最低ゲートしきい値電圧：2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：SOT-223 、実装タイプ：表面実装、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：小信号、最大パワー消費：1.8 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：1 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：800 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：1V 、最低ゲートしきい値電圧：2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：SOT-223 、実装タイプ：表面実装、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：小信号、最大パワー消費：1.8 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応

RoHS指令(10物質対応):

対応