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- 仕様
- チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:1 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:800 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:1V 、 最低ゲートしきい値電圧:2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOT-223 、 実装タイプ:表面実装 、 トランジスタ構成:シングル 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:小信号 、 最大パワー消費:1.8 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
- 注文コード
- 49261416
- 品番
- BSP322PH6327XTSA1
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参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥66,869販売価格(税別)