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2026/11/07 04:34:39

IXFN82N60P IXYS NチャンネルパワーMOSFET IXYS 49303529

IXYS
IXYS NチャンネルパワーMOSFET

8日出荷とは

注文コード	49303529
品番	IXFN82N60P
内容量	1セット(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥62,980

仕様:	チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：72 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：600 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：75 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：5V 、最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V 、パッケージタイプ：SOT-227B 、実装タイプ：パネルマウント、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：1.04 kW 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：72 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：600 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：75 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：5V 、最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V 、パッケージタイプ：SOT-227B 、実装タイプ：パネルマウント、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：1.04 kW 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))

RoHS指令(10物質対応):

対応