- 内容量
- 1セット(10個)
- 仕様
- チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:72 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:600 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:75 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:5V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V 、 パッケージタイプ:SOT-227B 、 実装タイプ:パネルマウント 、 トランジスタ構成:シングル 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:1.04 kW 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
- 注文コード
- 49303529
- 品番
- IXFN82N60P