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| https://www.monotaro.com/p/6806/8308/ | 2026/06/16 02:23:29 |
 | onsemi onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， FQB5N90TM |
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| 仕様: | この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on ) 2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途 照明 |
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| ピン数(ピン): | 2 + Tab |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| パッケージ: | D2PAK |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| 1チップ当たりのエレメント数: | 1 |
| 最大パワー消費(W): | 158 |
| 最大動作温度(℃): | 150 |
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