- 仕様
- この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on )
2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途 照明
- ピン数(ピン)
- 2 + Tab
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- D2PAK
- 実装タイプ
- 表面実装
- 1チップ当たりのエレメント数
- 1
- 最大パワー消費(W)
- 158
- 最大動作温度(℃)
- 150
