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| https://www.monotaro.com/p/6819/8106/ | 2026/09/10 13:05:30 |
 | onsemi onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン |
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| 仕様: | ●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：6.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 4.5 V |
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| シリーズ: | PowerTrench |
| ピン数(ピン): | 8 |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| 特性: | PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電 |
| パッケージ: | SOIC |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| チャンネルタイプ: | N |
| 最大パワー消費(mW): | 2000 |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 20 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ): | 30 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | -10 ， +10 |
| トランジスタ構成: | 絶縁型 |
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