- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：6.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 4.5 V
- シリーズ
- PowerTrench
- ピン数(ピン)
- 8
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
- パッケージ
- SOIC
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 2000
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 20
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 30
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -10 ， +10
- トランジスタ構成
- 絶縁型
