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2026/07/05 01:25:57

FQD3P50TM onsemi Pチャンネル MOSFET500 V 1.33 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi 81548734

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onsemi Pチャンネル MOSFET500 V 1.33 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

5日出荷とは

注文コード	81548734
品番	FQD3P50TM
内容量	1セット(2500個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥279,800

特長:	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 1.33 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V シリーズ = QFET 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.9 Ω チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V 最大パワー消費 = 50 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V 長さ = 6.73mm 高さ = 2.39mm Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 1.33 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
シリーズ = QFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.9 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 50 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
長さ = 6.73mm
高さ = 2.39mm
Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

RoHS指令(10物質対応):

対応