チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 1.33 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
シリーズ = QFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.9 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 50 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
長さ = 6.73mm
高さ = 2.39mm
Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。
