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2026/06/02 23:53:20

RFP12N10L onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 12 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン onsemi 81682459

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onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 12 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

出荷目安：11日

11日出荷とは

注文コード	81682459
品番	RFP12N10L
内容量	1セット(50個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥5,498

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 12 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V パッケージタイプ = TO-220AB 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 60000 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V 幅 = 4.83mm 高さ = 9.4mm Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 12 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 60000 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V
幅 = 4.83mm
高さ = 9.4mm
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

RoHS指令(10物質対応):

対応