チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 12 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 60000 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V
幅 = 4.83mm
高さ = 9.4mm
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
