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2026/06/07 01:15:21

FDV303N onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi 81682705

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onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

5日出荷とは

注文コード	81682705
品番	FDV303N
内容量	1袋(100個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,198

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 680 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V 最大パワー消費 = 350 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V 幅 = 1.3mm 高さ = 0.93mm Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 680 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V
最大パワー消費 = 350 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V
幅 = 1.3mm
高さ = 0.93mm
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

RoHS指令(10物質対応):

対応