チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 680 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V
最大パワー消費 = 350 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V
幅 = 1.3mm
高さ = 0.93mm
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
