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| https://www.monotaro.com/p/8383/3674/ | 2026/05/28 10:01:25 |
 | INFINEON Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A、6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン |
5月24日より値下げいたしました。 |
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| 特長: | デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ， 98 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 1V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2 W トランジスタ構成 = 絶縁型 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 1チップ当たりのエレメント数 = 2mm 高さ = 1.5mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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