Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A、6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ， 98 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 2mm
高さ = 1.5mm