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BSS84PH6327XTSA2 Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON 83843490
INFINEON
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
注文コード83843490
品番BSS84PH6327XTSA2
内容量1袋(250個)
参考基準価格(税別)オープン
単価(税別)
¥2,998
特長:Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>;R ;/sup>;小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様:チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 170 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = SIPMOSR
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 360 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応):対応
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