Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 170 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = SIPMOSR
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 360 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃V