Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 30 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/18 06:02:53

SPD30P06PGBTMA1 Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 30 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON 83849029

INFINEON
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 30 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は1,798円となります。

注文コード	83849029
品番	SPD30P06PGBTMA1
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,498

特長：	Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応
仕様：	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 30 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V パッケージタイプ = DPAK (TO-252) 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V トランジスタ素材 = Simm 順方向ダイオード電圧 = 1.7V

特長：

Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応

仕様：

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 30 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 125 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
トランジスタ素材 = Simm
順方向ダイオード電圧 = 1.7V