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SPD30P06PGBTMA1 Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 30 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON 83849029

Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 30 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

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内容量1袋(10個)注文コード83849029品番SPD30P06PGBTMA1
5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は1,798円となります。
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥1,648
販売価格(税別)
1,498

Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>;R ;/sup>;小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応

仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 30 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 125 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
トランジスタ素材 = Simm
順方向ダイオード電圧 = 1.7V
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