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| https://www.monotaro.com/p/8441/2188/ | 2026/05/25 19:15:02 |
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アズワン
4インチSICウェハ 研究用 |
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| 特長： | 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。 |
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| 仕様： | ●Surface orientation error：(11-20)4±0.15°●ドーパント：n-type●1次オリフラ：[1-100]±5°●TTV：20μm●Bow：45〜45μm●Warp：50μm●マイクロパイプ：≦10ea/cm2●ブラックレーザーマーキング：1mm(from top edge) |
| 注意： | ●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。 |
| 長さ(mm)： | 【1次オリフラ】32.5±1.5、【2次オリフラ】18±1.5 |
| 直径(Φmm)： | 99.5〜100 |
| タイプ： | 4H |
| 入数(枚)： | 5 |
| グレード： | Dummy |
| 厚さ(μm)： | 350±25 |
| アズワン品番： | 67-3018-21 |
| 表面粗さ(μm)： | (Si-face)Ra≦0.0002(5μm×5μm) |
| 表面仕上げ： | Si面 CMP Si-faceCMP |
| 抵抗値(Ω)： | 0.015〜0.025 |
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