onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 210 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピン
- 仕様
- 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
- ピン数(ピン)
- 3
- 動作温度(℃)
- (Min)-55
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 実装タイプ
- 表面実装
- 1チップ当たりのエレメント数
- 1
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 340
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(mA)
- 210
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 50
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)
- 6
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 0.8
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、 +20
- トランジスタ構成
- シングル
- 内容量
- 1箱(100個)
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