- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:75 nC @ 10 V
- シリーズ
- QFET
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(
- パッケージ
- D2PAK (TO-263)
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 3750
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 100
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 26
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -25 , +25
- トランジスタ構成
- シングル
- 内容量
- 1箱(5個)