onsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装 パッケージMLPAK33 8 ピン
- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：1.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 10 V
- 高さ(mm)
- 0.95
- ピン数(ピン)
- 8
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス
- パッケージ
- MLPAK33
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(mW)
- 42000
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 150
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)
- 3.6
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -30 ， +30
- トランジスタ構成
- シングル
- 内容量
- 1箱(5個)
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