onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.1 nC @ 10 V
- 高さ(mm)
- 1.7
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
- パッケージ
- SOT-223
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 2.2
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 100
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 189
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20 ， +20
- トランジスタ構成
- シングル
- 内容量
- 1箱(5個)
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