- 仕様
- ●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 11.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOIC●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 19 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最大パワー消費 ： 2.5 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 V
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
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