仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 110 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.6V●最大パワー消費 ： 480 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 1.01mm●NチャンネルパワーMOSFET●30 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
