仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 350 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 1.25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応
