- 仕様
- ●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 4.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 20 V●パッケージタイプ ： ChipFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 170 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.5V●最大パワー消費 ： 2.1 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -8 V， +8 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 1.1mm●デュアルPチャンネルMOSFET●ON Semiconductor
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
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