仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 150 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SC-75●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 7.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.5V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -10 V， +10 V●幅 ： 0.9mm●高さ ： 0.8mm●NチャンネルMOSFET(ショットキーダイオード付)●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
