- 仕様
- ●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 23 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 56 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 83 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 2.38mm●NチャンネルパワーMOSFET●100 V → 1700 V●ON Semiconductor
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
