- 仕様
- ●チャンネルタイプ ： N●IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 ： 5 to 30mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●最大ゲート-ソース間電圧 ： +30 V●最大ドレイン-ゲート間電圧 ： 30V●トランジスタ構成 ： シングル●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 100 Ω●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-23●ピン数 ： 3●ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス ： 14pF●ソースゲート オンキャパシタンス ： 14pF●寸法 ： 3.04 x 1.4 x 1.01mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルJFET●ON Semiconductor
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
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