仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 250 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-363●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.5V●最大パワー消費 ： 2.72 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 1.35mm●高さ ： 1mm●デュアルNチャンネルMOSFET●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
