仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 155 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最大パワー消費 ： 900 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 1.01mm●ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60VRoHS指令(10物質対応)対応
