SST26WF080B-104I/SN マイクロチップ,  フラッシュメモリ 8Mbit SPI, 8-Pin, SST26WF080B-104I/SN MICROCHIP 02719310

マイクロチップ, フラッシュメモリ 8Mbit SPI, 8-Pin, SST26WF080B-104I/SN

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内容量
1セット(100個)
注文コード
02719310
品番
SST26WF080B-104I/SN
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥20,878
販売価格(税別)
¥18,980
仕様
●メモリサイズ : 8Mbit●インターフェースタイプ : SPI●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●構成 : 1 M x 8ビット●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 1.65 V●動作供給電圧 Max : 1.95 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 4.9mm●高さ : 1.25mm●幅 : 3.9mm●寸法 : 4.9 x 3.9 x 1.25mm●シリーズ : SST26bit●SST26WF040B/080B/016BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRフラッシュメモリ. Microchip製のSST26WFxxxB製品ファミリは●4●8及び16ビットバリアントで使用可能なシリアルクワッドI/O (SQI)フラッシュメモリデバイスです。 これらのデバイスは●シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。また●SRAMでコードシャドウイングを行う必要なしに最低レイテンシのExecute-in-Place (XIP)機能が可能になります。 SST26WFxxxBデバイスは●消費電力が低いため●ポータブルなバッテリ駆動用途に最適です。. 特長. 動作電圧範囲: 1.6 → 1.95 V クロック周波数: 最大104 MHz シリアルインターフェイスアーキテクチャ 低消費電力: アクティブ電流読み取り: 15 mA(104 MHz時の代表値)●スタンバイ電流: 10 μA(代表値) バーストモード: 連続リニアバースト●ラップアラウンド付き8/16/32/64バイトのリニアバースト ページプログラム: x1又はx4モードで1ページあたり256バイト 高速消去時間: セクタ / ブロック消去18 ms(代表値)●25 ms(最大値)●チップ消去35 ms(代表値)●50 ms(最大値) 柔軟性の高い消去機能 End-of-Write検出 Write-Suspend ソフトウェア保護 ソフトウェアリセット(RST)モード SFDP (シリアルフラッシュ検出可能パラメータ)
RoHS指令(10物質対応)
対応

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