- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
- パッケージ
- TO-220AB
- 実装タイプ
- スルーホール
- 1チップ当たりのエレメント数
- 1
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 60
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 100
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 200
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -10 ， +10
- トランジスタ構成
- シングル
- 最小動作温度(℃)
- -55
