仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：25 nC @ 5 V、40 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)48000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル
