- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：125 nC @ 20 V
- シリーズ
- MegaFET
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
- パッケージ
- TO-220AB
- 実装タイプ
- スルーホール
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 131
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 22
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20 ， +20
- トランジスタ構成
- シングル
