- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11 nC @ 10 V
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- 拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
- パッケージ
- SOT-223
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(mW)
- 3000
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 300
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20 ， +20
- トランジスタ構成
- シングル
- 最小動作温度(℃)
- -55
