- 仕様
- 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
- ピン数(ピン)
- 3
- 動作温度(℃)
- -55 (Min)
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 実装タイプ
- スルーホール
- 1チップ当たりのエレメント数
- 1
- チャンネルタイプ
- N
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(mA)
- 500
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)
- 5
- 最大ゲートしきい値電圧(V)
- 3
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 0.8
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、 +20
- トランジスタ構成
- シングル
- 最大パワー消費
- 830 mW
