仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)1.2ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)300最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最小ゲートしきい値電圧(V)1.1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
