仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A幅(mm)4.7高さ(mm)16.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)325チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
