- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
- パッケージ
- TO-220AB
- 実装タイプ
- スルーホール
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 200000
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 55
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 12
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20 ， +20
- トランジスタ構成
- シングル
- 最大動作温度(℃)
- 175
- 最小動作温度(℃)
- -55
